hirose连接器

　　SolidRun 已确认 Hailo-15 SOM 的核心变体：Hailo-15M SOM 使用低端版本的 Hailo-15 芯片，提供 11 TOPS 的计算能力，而 Hailo-15H SOM 则采用高端的 20 TOPS 版本。 两种型号均配备运行频率为 1.3GHz 的四核 Arm Cortex-A53 应用处理器、高达 8GB 的 LPDDR4 内存、8GB 至 256GB 的 eMMC 存储以及 32Mb QSPI 闪存模块。对于网络连接，有一个板载双频 802.11ac 和蓝牙 5.0 无线电以及千兆位以太网，以及用于外部硬件的 USB 3.1。
hirose连接器　　“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。
达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。

QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
　　全新Reno1 系列从风靡时尚秀场的 Y2K 风格中获取灵感，掀起全新流行趋势。流银玻璃工艺以高亮材质与灵动曲线呈现绮丽流动质感，在平面中营造包含“山峰”与“山谷”的立体视觉奇观。Reno12 系列全系采用四曲柔边直屏设计，既提供直屏般不妥协的 6.7 英寸宽广视野，同时也营造出鹅卵石般柔和的握持感受，也让轻至 179g、薄至 7.25mm 的机身更显纤薄。
hirose连接器　　TSB952的工作温度范围是 -40°C 至 125°C，可用于工业和汽车环境。意法半导体将于 2024年下半年推出符合 AEC-Q101 标准的车规型号。全系产品均能耐受4kV ESD静电放电 (人体模型)，并加强了 EMI抗电磁干扰能力。
　　关于将锐龙与Versal两部分整合在一起，是否会导致整体设备的热设计功耗增加的问题，Chetan Khona回应称，在产品化层面，AMD还没有明确计划要将这两部分处理器整合为一款芯片（目前以板卡形式提供解决方案）。在蓝宝科技推出的基于Embedded+架构的ODM解决方案VPR-4616，包括整个系统、内存功耗在内，其TDP（散热设计功耗）在30瓦左右。
　　这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，地提高了可靠性。

　　为此，村田通过特有的元件设计技术和陶瓷多层技术，利用行业首款负互感产品，开发了让电容器内部寄生电感与电路板内产生的寄生电感互相抵消的电源噪声抑制元件。通过连接1件本产品，实现用更少数量的电容器降低噪声，帮助节省整体空间。
hirose连接器　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
　　Discovery套件还包含一个板载FlashPro5编程器和一个预安装的DSP FIR滤波器，可借助USB转JTAG通道，对PolarFire FPGA的嵌入式数学模块功能进行编程、调试和展示。Libero SoC设计软件可从Microchip的网站，新用户可获得的Silver许可证以便开始使用。
　　使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比，CoolGaN Smart Sense产品在RDSs(on) （例如 350 mΩ）更高的情况下，能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外，这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN 封装脚位兼容，无需进行布局返工和 PCB 重焊，进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。