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此外，三菱电机拥有覆盖宽容量逆变器的全面功率模块阵容，有助于延长EV和PHEV的续航里程和降低电力成本，从而为汽车电动化的进一步普及做出贡献。
浩亭连接器官网推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET—SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
采用 Intel Xeon 6 处理器（配备 P-cores）的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*，内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器（配备 E-cores）的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度，每瓦特性能提高 2.4 倍*，从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。

企业级SATA SSD UM311b采用SATA III 6Gb/s接口，提供向下兼容3Gb/s和1.5Gb/s端口速率，同时搭载3D TLC闪存介质，提供480G、960G、1.92T、3.84T多种容量选择，满足用户不同业务的存储需求。
同时，SC200P系列集成功能丰富的接口，如 LCM、摄像头、触摸屏、麦克风、扬声器、UART、USB、I2C 以及 SPI 接口等，极大地助力客户后期在应用场景与开发设计上大有可为。
浩亭连接器官网STeID JC Open OS平台兼容 Java Card 3.0.5 卡应用开发框架和 Global Platform 2.3.1 安全及卡管理架构。该开放平台操作系统提供运行符合国际民航组织 ICAO 9303 标准的机读旅行证件(eMRTD)等重要应用程序所需的全部功能，还支持电子驾照标准 ISO 18013 和eIDAS QSCD合格数字签名生成设备技术标准。它将支持Match-on-Card技术，以实现安全的离线生物特征验证。
因此，在要求高可靠性的设备中，为了提高谐波区域的噪声消除效果，通过将多个电容器并联连接来降低阻抗。然而，这需要提供能并联连接多个电容器的空间，这困扰着电子设备实现进一步的小型化。
意法半导体背照叠装晶圆制造工艺可以让传感器取得很高的分辨率，芯片尺寸和功耗比市场上同类iToF传感器更小，让这款传感器非常适合为网络摄像头和虚拟现实应用构建3D内容，包括虚拟化身、手部建模和游戏。

新产品包括直流-直流转换器的MGN1系列，它们专为桥式电路中GaN的“高压侧”和“低压侧”栅极驱动电路供电。选择输出电压允许的1驱动水平，从而达到的系统效率。MGN1系列具有超低隔离电容和250V增强绝缘，能够满足高开关速度GaN应用中常见的高dv/dt要求。
浩亭连接器官网　　打造专用测试芯片是Dolphin Design确立电源管理和音频IP领域领先地位的关键一步，有助于不断提高其产品性能与质量。Dolphin Design不断提升客户使用的先进制程方面的水平，因为此前在22纳米节点技术上完成的。在设计新IP或进行迁移时，描述和掌握制程，可以确保芯片的性能。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
　　在与英飞凌的CoolMOS S7开关配合使用时，这些隔离式驱动器实现的开关设计，其电阻远低于光驱动固态解决方案。这能够延长系统设计的寿命并降低成本。与所有固态隔离器一样，这些半导体器件的性能同样优于电磁继电器，例如降低40%的功耗、以及摒除机械组件以实现更高的可靠性等。