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针对表面温度测量应用推出新的 T850 NTC 传感器 (B57850T0103F)。该传感器能与测量表面实现出色的热耦合，结合了高耐湿性和快速响应的特点，并且适合恶劣工况应用，温度范围 为-40℃ 至+150℃，防水时间长达 500 小时。此外，传感器采用氧化铝陶瓷表面，耐电压高达 2500 V AC（60 秒）。
广濑连接器官网基于丰富的工业机器人经验和长期的汽车零部件智能装备经验，以及前期对人形机器人需求的深度调研，目前公司机器人研究院形成的关键传感器套件可以覆盖大部分的生产制造工况需求，产品在参数、性能、成本等各个方面具备技术先进性和竞争力。
HighTec近期发布了首款适用于AURIX? TC3x 和 TC4x的ISO 26262 ASIL DRust编译器，能够确保软件的可靠性和性能满足汽车行业的严格要求。整个AURIX? Rust生态系统还包含英飞凌的TC37x外设访问库（PAC）、一套Bluewind外设驱动程序、Veecle的Rust运行时NOS，以及Lauterbach和PLS的工具。这些工具使客户能够使用Rust评估和开发安全的应用程序。

首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
　　四通道VNF9Q20F是意法半导体采用先进的单晶片VIPower M0-9 MOSFET工艺并集成STi2Fuse技术的新系列功率开关的首款产品，STi2Fuse产品基于I2t(current squared through time-to-fuse)技术，检测到过流，支持100?s 内做出快速响应并关断MOSFET功率开关管。
广濑连接器官网　　无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy Ring或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更精准，戒指的续航还会进一步延长。
　　另一方面，uSCM(Smart Connection Manager)专为自动通信管理而设计，目的是尽可能地提高性能或降低功耗，例如在通信连接断开后需要重建通信连接时。
　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。

这系列单片机具备丰富的周边资源，包括CAN、EBI、DIV、SPI、UART、USART、I?C、MCTM、GPTM、PWM、BFTM、RTC、CRC、CMP、内建具自动扫描功能的LED Controller、12-bit SAR ADC转换速度提升至2Msps并带有可配置电压VREF可作为内部参考电压源。封装提供32/46 QFN及48/64 LQFP，GPIO脚位达54。
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　　ADAT3XF TwinRevolve的设计充分考虑了用户精度对精度的要求，其1σ时的精度优于5 μm。这种精度水平加上超高的产量，为研发新一代产品提供了更多可能性，因为以往倒装芯片装配速度太慢、成本太高。与传统的焊线相比，使用倒装芯片封装还有助于生产出更可靠的产品，具有更低的功耗和更好的高频和热管理性能。
　　半导体业内人士表示，“如果对高通的依赖性增加，三星在与高通的零部件价格谈判中就会处于不利地位，联发科是对抗高通的一张宝贵”。