住友连接器

　　此外，针对Matter协议强调的安全性，FLM163D和FLM263D严格遵循相应的安全标准，包括安全固件和Mbed TLS加密等，可为连接设备提供强大保护。
住友连接器　　Microchip Technology PIC32CZ CA MCU具有Arm Cortex-M7处理器、8MB闪存和1MB SRAM，以及广泛的连接选项，包括高速USB、CAN FD、SQI、SDHC、I2S、Media LB总线、EBI和SERCOM。PIC32CZ CA90 MCU还包括一个集成硬件安全模块 (HSM)，为工业和消费类应用提供统一的安全解决方案。HSM作为安全子系统运行，内置独立MCU，用于管理固件和安全功能，如硬件安全启动、密钥存储、加密加速等。HSM创建了一个独立于主机MCU的防火墙安全子系统，将所有安全功能与主机MCU分隔开。
　　新IC内部集成了上管和下管的驱动以及两个性能加强的FREDFET，内部采用无损耗的电流检测，可提供高达99%的逆变器效率。IHB架构消除了系统中的集中发热点，可提高设计的灵活性和可靠性，并可大幅减少元件数量，节省PCB面积。BridgeSwitch-2由Power Integrations的MotorXpert软件套件提供支持，其中包括单相梯形控制和三相无传感器磁场定向控制(FOC)模块，可加快逆变器的开发速度。

　　在AI手机上，有许多关键组件，它们各自有特定的工作电压要求。例如，射频模块，负责无线通信的核心组件，设置在低于特定的工作电压下关闭，以确保其稳定性和效率。然而，随着技术的不断进步和电池性能的提升，业界对升压DC-DC芯片提出了更高的要求，使得系统能够在更低的电池电压下维持较高的系统电压，让这些关键组件处在工作状态。
　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
住友连接器　　它实现了纹波电流（3.3~4.6 Arms）——据称比同类外壳尺寸高出约 50%。
　　松下推出 ZV 系列电解聚合物混合电容器虽然同类电容器在 35V 时的 ESR 通常约为 16 mΩ，但 ZV 系列在此电压下的 ESR 为 12 mΩ，从而提高了电子系统的效率和可靠性。
在封装上，SC200P系列采用40.5 × 40.5 × 2.85mm的经典LCC+LGA封装，且采用pin-to-pin完全兼容设计，方便客户后期平滑切换至移远SC200J高端系列与SC200L入门系列等智能模组产品，大大减少客户开发工作量，满足快速量产的需求。
　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?

　　PIC32CZ CA MCU可通过多种连接选项进行配置，包括USART/UART、I2C、SPI、CAN FD、高速USB和千兆以太网。以太网连接选项包括音视频桥接 (AVB) 和基于IEEE 1588标准的时间协议 (PTP)。这些MCU采用100/144/176/208引脚TQFP和BGA封装，可通过2MB、4MB或8MB板载闪存、1MB SRAM和纠错码 (ECC) 存储器进行扩展，以减少数据损坏。
住友连接器　　稳压器驱动器的输入端子和内部控制电路是分开的，从而产生一个偏置引脚，用于连接内部误差放大器的电源电压、参考电压电路和N沟道驱动器的栅极控制电压。
CoolSiC混合分立器件采用 TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。